Китай начал предсерийное производство памяти HBM3E

Когда санкции США лишили Китай передовых микрочипов, компания ChangXin Memory Technologies (CXMT) сделала важный шаг. Об этом сообщает One.uz.

Компания начала предсерийное производство памяти HBM3E, которая востребована в ускорителях искусственного интеллекта и высокопроизводительных вычислительных системах. Эта информация была опубликована на сайте ixbt.com.

На текущем этапе CXMT проверяет стабильность нового технологического процесса, обеспечивает выход годных кристаллов и выполняет работы по упаковке многослойной памяти. Также тестируется соответствие готовых продукции требуемым характеристикам.

Если освоение технологического процесса завершится успешно, в ближайшие недели ожидается переход к массовому производству. Это может стать важной вехой для китайской индустрии полупроводников.

CXMT также расширяет производственные мощности. По данным источников, к концу года общая мощность заводов компании должна достичь переработки примерно 350 тысяч кремниевых пластин в месяц.

На будущие годы запланировано дальнейшее расширение. Точные технические характеристики памяти HBM3E пока не раскрыты, но они соответствуют стандартным показателям данного поколения.

Обычно в решениях такого типа HBM используется 1024-битный интерфейс для стека, а скорость передачи данных составляет примерно 9,6 Гбит/с или выше на каждый контакт. При работе со скоростью 9,6 Гбит/с пропускная способность одного стека может достигать 1,2 терабайта в секунду.

Объем памяти определяется количеством используемых кристаллов DRAM и слоев. Например, при использовании 24-гигабитных кристаллов восьмислойный стек обеспечивает 24 ГБ памяти.

Такие высокие показатели имеют важное значение для современных вычислительных систем.