Xitoy HBM3E xotirasini predseriyali ishlab chiqarishni boshladi
AQSh tomonidan joriy etilgan sanksiyalar Xitoy ilgʻor mikrochiplardan mahrum qilinganda, Xitoyning ChangXin Memory Technologies (CXMT) kompaniyasi muhim qadam tashladi. Bu haqda One.uz xabar beradi.
Kompaniya sunʼiy intellekt tezlatkichlari va yuqori unumdor hisoblash tizimlarida oʼta talabgir boʻlgan HBM3E xotirasini predseriyali ishlab chiqarishni boshladi. Bu maʼlumot ixbt.com saytida eʼlon qilingan.
CXMT hozirgi bosqichda yangi texnologik jarayonning barqarorligini tekshirish, yaroqli kristallar chiqishini taʼminlash va koʼp qatlamli xotirani qadoqlash ishlarini amalga oshirmoqda. Tayyor mahsulotlarning talab qilinadigan xarakteristikalariga muvofiqligi ham sinovdan oʼtkazilmoqda.
Agar texnologik jarayonni oʼzlashtirish muvaffaqiyatli yakunlansa, yaqin haftalarda keng koʼlamli ishlab chiqarish bosqichiga oʼtish kutilmoqda. Bu Xitoy yarimoʼtkazgichlar sanoati uchun muhim burilish nuqtasi boʼlishi mumkin.
CXMT ishlab chiqarish quvvatlarini ham kengaytirmoqda. Manbalarga koʼra, yil oxiriga qadar kompaniya korxonalarining umumiy quvvati oyiga taxminan 350 ming dona kremniy plastinasini qayta ishlash darajasiga yetishi kerak.
Kelgusi yillarda yanada kengaytirish ishlari rejalashtirilgan. HBM3E xotirasining aniq texnik tavsiflari hali ochiq qilinmagan, lekin ushbu avlodga xos standart koʼrsatkichlar bilanoladi.
Odatda, bunday turdagi HBM yechimlarida stek uchun 1024-bitli interfeys qollaniladi va maʼlumotlarni uzatish tezligi har bir kontakt uchun taxminan 9,6 Gbit/s yoki undan yuqoriroq boʼlishi mumkin. 9,6 Gbit/s tezlikda ishlanganda bitta stek nazorat qilib berish qobiliyati sekundiga 1,2 terabaytgacha yetishi mumkin.
Xotira hajmi foydalaniladigan DRAM kristallari va qatlamlar soniga qarab belgilanadi. Misol uchun, 24 gigabitli kristallar qollanilganda, sakkiz qatlamli stek 24 GB hajmqdagi xotirani taʼminlashga qodir boʼladi.
Bu kabi yuqori koʼrsatkichlar zamonaviy hisoblash tizimlari uchun muhim ahamiyat kasb etadi.
