Tayvanlik olimlar oʻta kichik mikrochiplar yaratishda muhim yutuqqa erishdi
Tayvanlik tadqiqotchilar zamonaviy mikroelektronika sohasida muhim yutuqqa erishib, ikki oʻlchamli yarimoʻtkazgichlarga asoslangan tranzistorlarning asosiy muammolaridan birini hal qila oladigan oʻta yupqa oraliq qatlamni ishlab chiqishdi. Bu haqda One.uz xabar beradi.
Qalinligi atigi 0,42 nanometr boʻlgan alyuminiy oksidi qatlami bir necha atomdan iborat boʻlib, u izolyatorni oʻtkazuvchi kanalga maksimal darajada yaqin joylashtirish imkonini beradi. Mazkur texnologiya kelgusida atom oʻlchamidagi oʻta kichik mikrochiplarni yaratish yoʻlidagi muhim qadam boʻlishi kutilmoqda.
Anʼanaviy kremniy asosidagi elementlarni yanada kichraytirish tobora murakkablashib borayotgan bir sharoitda, qalinligi bir atom qatlamiga teng boʻlgan molibden disulfidi kabi ikki oʻlchamli yarimoʻtkazgichlar yangi va istiqbolli muqobil variant sifatida koʻrilmoqda. Odatdagi tranzistorda zatvor yarimoʻtkazgich kanali boʻylab elektronlar harakatini boshqaradi, ular orasida esa elektr oʻtkazmaydigan dielektrik qatlami joylashadi.
Ushbu qatlam qanchalik yupqa boʻlsa, zatvor elektr tokini shunchalik samarali nazorat qiladi. Ikki oʻlchamli elektronika sohasidagi toʻsiqlar Ikki oʻlchamli materiallarning oʻziga xos xususiyati shundaki, ularning yuzasida deyarli erkin kimyoviy bogʻlanishlar mavjud emas.
Shu sababli anʼanaviy izolyatorlar bunday yuzada yupqa va bir xil qoplamani hosil qilishda qiyinchiliklarga duch keladi. Natijada mikroskopik nuqsonlar yuzaga kelib, ular orqali elektr toki sizib chiqa boshlaydi.
Bundan tashqari, ikki material chegarasidagi buzilishlar elektronlar harakatiga toʻsqinlik qiladi va tranzistorning umumiy ish sifatini sezilarli darajada yomonlashtiradi. Olimlar ushbu murakkab muammoni oʻziga xos atom darajasidagi tayyorlov qatlami yordamida hal qilishga muvaffaq boʻlishdi.
Bu usul materiallar orasidagi bogʻliqlikni mustahkamlab, nuqsonlar sonini kamaytiradi. Yangi texnologiya va uning afzalliklari Tadqiqotchilar dastlab yarimoʻtkazgich yuzasiga qalinligi taxminan 0,3 nanometr boʻlgan alyuminiy qatlamini yotqizib, soʻngra uni ehtiyotkorlik bilan oksidlashdi.
Natijada qalinligi 0,42 nanometrga teng boʻlgan yaxlit alyuminiy oksidi qatlami vujudga keldi. Bu orqali olimlar bir vaqtning oʻzida bir-biriga zid boʻlgan bir nechta vazifani bajarishga erishdilar.
Birinchidan, asosiy dielektrik qatlami uning ustida teshiklarsiz va yanada tekisroq shakllanadi. Ikkinchidan, bufer qatlam yarimoʻtkazgich kanalini elektr nuqsonlaridan ishonchli himoya qiladi.
Tajribalar davomida olingan yangi tuzilma tokning sizib chiqishini past darajada saqlagan holda yuqori ish samaradorligini koʻrsatdi. Shunga qaramay, ushbu texnologiyani ommaviy ishlab chiqarishga joriy etish uchun hali talaygina vaqt talab etiladi.
Mazkur jarayon material qatlamlarini koʻchirish va ularni oʻta yuqori vakuum sharoitida qayta ishlashni taqozo etadi. Mutaxassislarning fikricha, tranzistorlar atom oʻlchamlariga yaqinlashar ekan, materiallarning oʻzini topish bilan birga, ular orasidagi chegaralarni alohida atomlar darajasida nazorat qilish hal qiluvchi ahamiyatga ega boʻladi.
